近期，科技圈內(nèi)流傳著一則關(guān)于三星Galaxy S26手機(jī)的重磅消息。據(jù)X平臺(tái)知名博主Jukanlosreve透露，三星即將推出的旗艦機(jī)型Galaxy S26，將搭載自家研發(fā)的Exynos 2600處理器，但這一配置主要面向歐洲市場(chǎng)。對(duì)于其他區(qū)域，三星或?qū)⒗^續(xù)沿用驍龍?zhí)幚砥鞣桨浮?/p>

回溯至上個(gè)月，業(yè)界已有傳聞稱三星計(jì)劃在2025年11月大規(guī)模生產(chǎn)采用2納米工藝的Exynos 2600芯片。若Galaxy S26能夠成功搭載這款芯片，無(wú)疑將成為三星展示其2納米技術(shù)實(shí)力的重要窗口，進(jìn)而吸引更多合作伙伴與客戶的目光。

Exynos 2600芯片采用了先進(jìn)的Gate-All-Around（GAA）技術(shù)，相較于傳統(tǒng)的FinFET工藝，GAA技術(shù)通過(guò)四面環(huán)繞的晶體管結(jié)構(gòu)，顯著提升了芯片的性能表現(xiàn)，并有效降低了功耗，完美契合高性能芯片的市場(chǎng)需求。

值得注意的是，三星在3納米GAA工藝上已率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，但受制于較低的良率，其代工業(yè)務(wù)并未因此扭虧為盈。不過(guò)，好消息是，2納米工藝的良率已有了顯著提升，從年初的20%-30%躍升至40%以上，遠(yuǎn)超3納米時(shí)期的表現(xiàn)。

盡管如此，三星在芯片制造領(lǐng)域與臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)壓力依然巨大。據(jù)悉，臺(tái)積電的2納米工藝初期良率已達(dá)到60%，而量產(chǎn)所需的良率穩(wěn)定區(qū)間通常在70%-80%。面對(duì)這一差距，三星仍需在下半年進(jìn)一步優(yōu)化其2納米工藝，以期縮小與臺(tái)積電的差距。