在科技界的一次重量級對話中，美國國家發明家科學院院士及世界科學院院士盧志遠，分享了他在半導體存儲領域的深度見解與卓越貢獻。盧志遠，同時擔任旺宏電子總經理、科技總監以及欣銓科技股份有限公司董事長，他的科研生涯如同一部探索與創新的史詩。

盧志遠院士的科研成就尤為突出，他榮獲了2025年未來科學大獎——數學與計算機科學獎，以表彰其在非易失性半導體存儲領域的杰出貢獻。他的發明不僅將閃存技術的壽命從原先的1萬次擦寫提升至1億次以上，更推動了存儲技術的革命性進步。

在對話中，盧志遠詳細闡述了閃存、硬盤與內存之間的根本差異。他解釋道，硬盤基于電磁原理運作，內存則是晶體管與電容器的結合，而閃存則通過特殊材料的晶體管，利用電子的有無來實現數據存儲。這一過程雖然較慢，但因其獨特的擦除機制——一次擦除一個區塊，使得閃存成為了一種高效的存儲介質。

談及閃存技術的關鍵突破，盧志遠強調了“自我修復”機制的重要性。他利用量子隧穿效應進行寫入與擦除操作，并通過加熱使被撞歪的原子重新排列，恢復原狀，從而延長了閃存的使用壽命。這一創新技術被學術界譽為“永不損壞的閃存”，其背后的核心在于對材料細節的深刻理解和物理機制的精準掌握。

盧志遠的科研之路始于物理學，他對半導體材料的濃厚興趣引領他踏入了這一領域。在貝爾實驗室的工作經歷，讓他深刻認識到基礎研究與應用轉化之間的緊密聯系。1989年，他主持的“次微米計劃”成功突破了集成電路行業的極限挑戰，將器件工藝推進至納米級別，為半導體產業的發展奠定了堅實基礎。

對于基礎科學人才的培養，盧志遠給予了高度評價。他認為，中國在過去二三十年間對教育和科研的巨大投入，已經培養出了一大批視野開闊、正值黃金階段的優秀科研人才。在基礎研究和產業應用方面，中國都已展現出了強勁的競爭力。

盧志遠還展望了半導體領域的未來趨勢。他指出，AI的快速發展對算力提出了更高要求，這推動了存算合一、3D堆疊等新方向的探索。同時，他也強調了材料與結構根本性創新的重要性，認為這是推動半導體技術持續進步的關鍵。

在對話中，盧志遠還分享了自己的科研心得。他認為，科研人員應具備主動探索的習慣，不要急于尋找答案，而是要敢于提出問題。這種科研素養的培養，對于年輕科研人員來說至關重要。

盧志遠的科研生涯和成就，不僅彰顯了他在半導體存儲領域的卓越貢獻，更為全球科技界樹立了榜樣。他的創新精神和對科學的執著追求，將激勵著更多科研人員投身于科技創新的浪潮中。