近日，美光科技宣布了一項在DRAM內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的重大突破，正式推出了基于第六代10nm級制程技術(shù)（美光內(nèi)部命名為1γ或1-gamma）的LPDDR5x內(nèi)存。這項技術(shù)不僅標志著美光在半導體制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，也預示著智能手機等移動設(shè)備將迎來性能與能效的顯著提升。

據(jù)美光介紹，其1γ LPDDR5x內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率高達10.7Gbps（精確值為10667MT/s），這一速度在業(yè)界內(nèi)處于頂尖水平。與上一代1β產(chǎn)品相比，1γ LPDDR5x在提供更高性能的同時，還實現(xiàn)了20%的功耗節(jié)省。這對于追求極致性能與續(xù)航平衡的智能設(shè)備而言，無疑是一個巨大的福音。

美光在內(nèi)存模塊的厚度上也取得了顯著的進步。1γ LPDDR5x的DRAM模塊厚度僅為0.61mm，較1β LPDDR5x降低了14%，相比其他競爭對手的產(chǎn)品更是低了6%。這一突破性的設(shè)計使得超薄與折疊屏智能手機在內(nèi)部空間布局上有了更多的可能性，為手機設(shè)計師提供了更大的創(chuàng)意空間。

美光的1γ制程技術(shù)是其第一代采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)的DRAM內(nèi)存工藝。此前，這項技術(shù)已經(jīng)在DDR5內(nèi)存上得到了成功應用，并展現(xiàn)出了卓越的性能與穩(wěn)定性。此次將其應用于LPDDR5x內(nèi)存，無疑將進一步提升美光在移動存儲市場的競爭力。

目前，美光已經(jīng)開始向指定的合作伙伴提供16GB封裝容量的1γ LPDDR5x樣品，并計劃在未來推出從8GB到32GB不等的多種容量規(guī)格。預計這些高性能的內(nèi)存產(chǎn)品將搭載在2026年的旗艦智能手機上，為消費者帶來更加流暢、高效的使用體驗。