近日，半導體行業(yè)傳來消息，三星電子向英偉達提供的HBM4內存樣品已經成功通過了初期測試與質量驗證，標志著該系列芯片即將邁入預生產階段。這一進展預示著三星即將在高端內存市場上邁出重要一步。

據業(yè)內人士透露，“預生產”（PP，即Pre-Production）是半導體芯片進入大規(guī)模量產前的最后一道關卡。在這一階段，HBM4芯片將接受與客戶GPU產品的兼容性測試，以及在不同溫度條件下的性能與質量穩(wěn)定性考驗。這些測試旨在確保芯片在實際應用中能夠滿足高標準的質量要求。

據韓國媒體SEDaily報道，這批HBM4芯片預計將應用于英偉達下一代AI加速器“Rubin”中。目前，英偉達HBM芯片的獨家供應商為SK海力士。SK海力士在今年3月已向英偉達提供了HBM4樣品，并于6月初開始初期量產，計劃在10月全面擴大生產規(guī)模。

三星若能順利通過預生產階段，其HBM4芯片有望在11月正式投入量產。這將極大地縮短三星與SK海力士在高端內存市場的差距，為三星在AI存儲芯片領域占據更多市場份額奠定基礎。

業(yè)內人士還預測，三星的HBM3E 12層產品也有望在本月底通過英偉達的質量測試，并正式開始供貨。這一連串的進展不僅提升了三星在高端內存市場的競爭力，也為英偉達在與SK海力士的供貨量和芯片價格談判中增添了籌碼。

SEDaily指出，若三星能夠順利向英偉達供應HBM4和HBM3E芯片，明年的AI存儲芯片市場或將迎來重大變革。金融投資界普遍認為，三星明年的HBM銷售額有望實現(xiàn)倍數級增長。然而，當SEDaily就此事向三星求證時，三星方面表示：“涉及客戶的相關信息，我們無法確認。”