在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向“后摩爾時代”的關(guān)鍵時期，傳統(tǒng)制程技術(shù)提升性能的潛力逐漸減弱，而先進封裝技術(shù)，特別是2.5D與3D堆疊封裝，正逐漸成為提升芯片性能的重要途徑。據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，2022年全球先進封裝市場規(guī)模達到了443億美元，占據(jù)了整體封測市場的46.6%，并預(yù)計將以10%的年復(fù)合增長率，在2028年增長至786億美元。其中，2.5D/3D封裝技術(shù)更是以18.7%的年復(fù)合增長率迅猛發(fā)展，尤其在AI數(shù)據(jù)中心處理器領(lǐng)域需求激增。

面對這一市場趨勢，國際半導(dǎo)體巨頭如臺積電、三星、英特爾等紛紛加大布局力度，而中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也在加速自主創(chuàng)新。在此背景下，物元半導(dǎo)體技術(shù)（青島）有限公司應(yīng)運而生，作為國內(nèi)領(lǐng)先的晶圓及先進封裝技術(shù)企業(yè)，專注于2.5D/3D集成產(chǎn)品的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

2023年初，物元半導(dǎo)體成功建成了國內(nèi)首條12英寸混合鍵合先進封裝實驗線，填補了國內(nèi)在該領(lǐng)域的技術(shù)空白，為國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的完善提供了重要支撐。混合鍵合技術(shù)通過晶圓級堆疊實現(xiàn)高密度集成，顯著提升了產(chǎn)品性能，滿足了行業(yè)對高算力、小尺寸、低功耗的需求。

2025年8月1日，物元半導(dǎo)體迎來了具有戰(zhàn)略意義的重要時刻——首臺光刻機正式入駐產(chǎn)線。這一里程碑事件標志著物元半導(dǎo)體在核心工藝能力上取得了重大突破，也預(yù)示著其產(chǎn)業(yè)化進程邁入了全新階段。光刻機作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的核心設(shè)備，在先進封裝工藝中發(fā)揮著舉足輕重的作用，其納米級精度的圖形轉(zhuǎn)移能力是實現(xiàn)芯片高密度互連與異構(gòu)集成的關(guān)鍵。

自落戶青島市城陽區(qū)以來，物元半導(dǎo)體取得了顯著的發(fā)展成就。項目總占地面積達500畝，一期工程占地175畝。目前，公司已建成國內(nèi)首條12英寸晶圓級先進封裝專用中試線，月產(chǎn)能達到2000片，并成功開發(fā)出十余款核心產(chǎn)品，于2024年6月正式進入商業(yè)化訂單交付階段。同時，二期項目建設(shè)進展順利，預(yù)計將于2025年11月正式投產(chǎn)。

在國產(chǎn)化方面，物元半導(dǎo)體也取得了重大突破，設(shè)備國產(chǎn)化率超過70%，原材料國產(chǎn)化率更高達85%以上。公司已形成涵蓋近存計算AI芯片、新型存儲器、Micro-LED新型顯示芯片等前沿領(lǐng)域的產(chǎn)品體系，并獲得多個商業(yè)化訂單。預(yù)計年內(nèi)將完成定制化高帶寬存儲器1+8堆疊技術(shù)攻關(guān)，進一步加速產(chǎn)業(yè)化進程。

為了推動產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新，物元半導(dǎo)體積極構(gòu)建產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)方案，打造了貫穿技術(shù)創(chuàng)新全鏈條的產(chǎn)業(yè)共同體。公司與多家半導(dǎo)體設(shè)備和供應(yīng)鏈領(lǐng)軍企業(yè)、銀行和投資機構(gòu)、高校等建立了合作關(guān)系，共同推動技術(shù)研發(fā)與人才培養(yǎng)。同時，物元半導(dǎo)體還積極踐行供應(yīng)鏈本土化路線，與多家上下游企業(yè)簽約，形成國產(chǎn)化供應(yīng)鏈閉環(huán)，降低對海外技術(shù)的依賴。

物元半導(dǎo)體的迅猛崛起，不僅填補了國內(nèi)高端封裝領(lǐng)域的技術(shù)空白，更推動了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈向高附加值環(huán)節(jié)加速攀升。隨著人工智能、高性能計算等需求的爆發(fā)式增長，2.5D/3D封裝技術(shù)已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭的戰(zhàn)略焦點。物元半導(dǎo)體的前瞻性布局和持續(xù)的技術(shù)迭代，將助力中國在“后摩爾時代”的全球競爭中占據(jù)更主動的戰(zhàn)略地位。