近期，臺灣《電子時報》披露了一則關于三星電子內存制造策略轉變的重要消息。據悉，三星正積極推進DRAM內存制程工藝的戰略升級，這一舉措將直接影響到采用舊版1y nm（即第二代10nm級別）工藝的DDR4內存模組的生產。
根據供應鏈企業的反饋，他們已收到多款8GB及16GB容量的DDR4 SODIMM/UDIMM內存條的停產通知。這些產品的最后訂購日期定于今年6月上旬，而最后一批貨物的交付則安排在2025年12月10日。
報道進一步指出，三星電子正加速其傳統DRAM內存生產線的轉型步伐，目標是轉向DDR5、HBM等更先進的內存產品。這一轉型策略意味著與舊制程緊密相連的DDR3和DDR4內存將逐步退出歷史舞臺。
事實上，三星電子的內存制造策略調整早已顯現端倪。據悉，該公司已在2024年第二季度停止生產DDR3內存。與此同時，1y nm DDR4的產能占比也在迅速縮減，預計從今年年中開始，這一占比將從去年的約20%下降到不足一成。更令人矚目的是，下一代1z nm DDR4的生產預計也將在2027年畫上句號。
