半導體設備行業的領軍企業泛林集團近日宣布了一項重大創新，正式推出了全球首款鉬（Mo）原子層沉積（ALD）設備——ALTUS Halo。這一里程碑式的成就于美國加州當地時間2月19日公布，標志著半導體制造領域的一次重要技術革新。
ALTUS Halo設備已經在邏輯半導體和3D NAND領域獲得了早期應用。在半導體工藝中，金屬布線元器件的互聯一直扮演著至關重要的角色。過去二十多年里，鎢（W）憑借其卓越的溝槽填充能力成為這一領域的首選材料。然而，隨著半導體技術的不斷進步，鎢的較高電阻率逐漸成為了制約性能提升的瓶頸。此時，鉬因其出色的溝槽填充能力和低電阻特性，正逐步成為布線工藝的新選擇。
泛林集團高級副總裁兼全球產品集團總經理Sesha Varadarajan表示，ALTUS Halo設備是原子層沉積領域二十多年來最重大的突破。該設備結合了泛林的四站模塊架構和ALD技術的最新進展，為大批量生產提供了工程化的低電阻率鉬沉積。這一創新技術對于滿足新興和未來芯片變化的關鍵要求至關重要，包括千層3D NAND、4F2 DRAM以及先進的GAA邏輯電路。
美光科技負責NAND開發的副總裁Mark Kiehlbauch也對ALTUS Halo設備給予了高度評價。他表示，鉬金屬化的集成使得美光能夠在最新一代NAND產品中率先推出業界領先的I/O帶寬和存儲容量。泛林的ALTUS Halo設備為美光將鉬投入量產提供了可能，進一步推動了半導體技術的發展。
除了ALTUS Halo設備外，泛林集團還同期推出了一款名為Akara的等離子體蝕刻設備。這款設備采用了固態等離子體源，生成的等離子體響應速度提升了100倍，支持更大縱橫比的超高精度蝕刻，以形成復雜的3D結構。這一創新技術將為半導體制造領域帶來更多的可能性。
