近期，在備受矚目的2024 IEEE IEDM國際電子器件會議上，兩大科技巨頭IBM與日本先進芯片制造商Rapidus攜手亮相，共同展示了一項革命性的技術成果——多閾值電壓GAA晶體管技術。這項技術被視為Rapidus未來2nm制程生產中的潛在核心。
據IBM透露，隨著半導體制程技術邁向2nm時代，傳統的FinFET（鰭式場效應晶體管）結構將被全新的GAAFET（全環繞柵極場效應晶體管）所取代。這一轉變不僅標志著技術上的巨大飛躍，同時也帶來了前所未有的挑戰：如何在如此微小的尺度上實現多閾值電壓，以確保芯片在節能的同時保持強大的計算能力。
在2nm制程中，N型和P型半導體通道之間的距離被壓縮到了極致，這對光刻技術的精度提出了極高的要求。為了實現多閾值電壓而不影響半導體性能，IBM與Rapidus的研究團隊創新性地采用了兩種不同的選擇性減少層（SLR）芯片構建工藝。這一突破性的方法成功解決了技術難題，為2nm制程的推進奠定了堅實基礎。
IBM研究院的高級技術人員Bao Ruqiang在會上表示，Nanosheet納米片結構與上一代FinFET相比，不僅在結構上有著顯著差異，而且其復雜性也顯著增加。然而，他強調說：“我們提出的新生產工藝在操作上更為簡便，這將極大地降低Rapidus在2納米片技術應用上的難度，提高生產效率和可靠性。”這一表述無疑為Rapidus的未來芯片制造之路注入了強大的信心。
此次IBM與Rapidus的合作，不僅展示了雙方在半導體技術領域的深厚積累，更體現了面對技術挑戰時的創新精神和團隊協作能力。隨著多閾值電壓GAA晶體管技術的不斷成熟和應用，我們有理由相信，未來的芯片將更加高效、節能，為科技產業的持續發展注入新的活力。
