近期，SK海力士在DRAM芯片技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了重大飛躍，其1cnm工藝的DRAM芯片良品率顯著增長，從去年下半年的60%躍升至當(dāng)前的80%-90%，這一水平已躋身行業(yè)前列。

這一技術(shù)革新恰好迎合了AI技術(shù)蓬勃發(fā)展所帶來的高性能存儲需求的激增。SK海力士有望借此在消費(fèi)級市場和數(shù)據(jù)中心市場構(gòu)建顯著的技術(shù)優(yōu)勢，對三星在DRAM領(lǐng)域的霸主地位構(gòu)成有力挑戰(zhàn)。

采用1cnm工藝精心打造的DDR5 DRAM芯片，在性能上實(shí)現(xiàn)了顯著提升。其運(yùn)行速率高達(dá)8Gbps，相比前代產(chǎn)品提升了11%。同時(shí)，能效也提高了9%以上。通過一系列設(shè)計(jì)技術(shù)的創(chuàng)新，生產(chǎn)效率更是提升了超過30%。

SK海力士在提升芯片性能的同時(shí)，也兼顧了成本控制。通過引入新型材料和優(yōu)化EUV工藝，該公司成功保持了成本競爭力。據(jù)估算，數(shù)據(jù)中心采用這種新型芯片后，電力成本有望節(jié)省30%以上。

盡管目前具體的上市時(shí)間尚未明確，但這一技術(shù)突破無疑為下一代高性能存儲解決方案的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著良品率的不斷攀升和產(chǎn)能的逐步擴(kuò)大，1cnm DRAM芯片有望徹底改變存儲市場的格局，為AI時(shí)代的數(shù)據(jù)處理需求提供更加堅(jiān)實(shí)的支持。