近期，據國外媒體報道，三星電子與SK海力士兩大半導體巨頭采取了行動，以應對NAND閃存市場供應過剩的問題。他們通過技術遷移的方式，實現了“自然減產”。
據悉，自去年年底開始，這兩家公司便著手將NAND閃存的生產從舊工藝轉向新工藝。這一過程涉及到引進和安裝新設備，預計耗時三個月。在此期間，由于生產線正在進行技術升級，無法生產晶圓，從而導致NAND閃存的出貨量自然下降。
三星電子方面，正在將其主要的128層NAND閃存產品逐步升級為更先進的176層、238層、286層產品。而SK海力士則在清州的NAND生產基地，全力推進238層和321層最新產品的量產和技術遷移。
業內人士透露，受此次技術遷移影響，三星電子和SK海力士今年第一季度的NAND閃存產量預計將比去年下半年減少超過10%。一位知情人士還表示，三星電子用于NAND閃存的原材料和零部件供應量也在逐步減少。
實際上，自去年下半年以來，NAND閃存價格已經出現了明顯的下跌。據市場研究公司DRAMeXchange的數據顯示，NAND通用產品的平均固定交易價格從去年8月的4.9美元降至今年1月的2.18美元，跌幅超過50%。
面對市場供需失衡的現狀，NAND閃存制造商紛紛采取措施。除了三星電子和SK海力士外，美光也已經正式宣布減產。業內預計，今年上半年NAND閃存需求的疲軟態勢仍將持續，因此，“戰略性減產”政策或將得以延續。
此次技術遷移導致的“自然減產”，雖然短期內可能會對NAND閃存的供應量產生影響，但從長遠來看，有助于市場逐步恢復供需平衡，穩定價格，為半導體行業的健康發展奠定基礎。
