俄羅斯在高端半導體制造領域邁出了重要一步，近日宣布了其自主EUV光刻機研發計劃的具體路線圖。這項雄心勃勃的項目由俄羅斯科學院微結構物理研究所的領軍人物Nikolay Chkhalo負責，旨在打造一款成本更低、生產更為便捷的EUV光刻機，以挑戰行業巨頭ASML的市場地位。
與ASML廣泛使用的13.5nm波長EUV光刻機不同，俄羅斯計劃采用11.2nm波長的激光光源。這一創新之舉預計能帶來20%的分辨率提升，同時簡化機器設計，并顯著降低光學元件的成本。然而，由于這一波長與現有EUV設備不兼容，俄羅斯必須從頭開始構建一個全新的光刻生態系統，這無疑是一個漫長且復雜的挑戰，預計至少需要十年時間。
Chkhalo強調，11.2nm波長的選擇不僅帶來了技術上的優勢，還顯著減少了光學元件的污染問題，從而延長了關鍵部件的使用壽命。俄羅斯的光刻機將采用硅基光阻劑，這種材料在更短的波長下能夠展現出更佳的性能，為芯片制造帶來質的飛躍。
盡管俄羅斯EUV光刻機的光源功率僅為3.6千瓦，僅為ASML設備的37%，但其性能足以滿足小規模芯片生產的需求。這一特點使得俄羅斯的光刻機在特定市場領域具有潛在的競爭力，尤其是在對成本有嚴格控制要求的客戶群體中。
為了實現這一目標，俄羅斯需要在多個方面進行技術更新，包括電子設計自動化工具、光罩數據準備、光學鄰近校正以及分辨率增強技術等。這些關鍵制程的改進將確保俄羅斯的光刻機能夠在實際生產中達到預期的性能水平。
