近期，三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新動向引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。據(jù)悉，該公司已悄然啟動了一項(xiàng)雄心勃勃的計劃——研發(fā)1.0納米晶圓代工工藝，旨在通過這一前沿技術(shù)，在未來與競爭對手的較量中占據(jù)上風(fēng)。

三星電子的半導(dǎo)體研究所已正式組建了一個專項(xiàng)團(tuán)隊，專注于1.0納米工藝的研發(fā)。該團(tuán)隊匯集了眾多曾參與2納米等先進(jìn)制程研發(fā)的核心技術(shù)人員，他們的目標(biāo)是在技術(shù)層面實(shí)現(xiàn)新的突破。根據(jù)三星目前披露的信息，其原本規(guī)劃的晶圓代工工藝路線圖中，最先進(jìn)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)是計劃于2027年量產(chǎn)的1.4納米工藝。

然而，三星并未止步于此，而是將目光投向了更為先進(jìn)的1納米工藝。業(yè)內(nèi)人士透露，1納米工藝的研發(fā)將是一次巨大的挑戰(zhàn)，需要突破現(xiàn)有的技術(shù)框架，引入諸如高數(shù)值孔徑極紫外（High-NA EUV）光刻設(shè)備等全新的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備。預(yù)計這一工藝的量產(chǎn)時間可能會在2029年之后。

盡管三星在3納米工藝上已經(jīng)取得了量產(chǎn)的成果，并計劃在今年內(nèi)推出2納米工藝，但業(yè)內(nèi)人士指出，與主要競爭對手相比，三星在這些領(lǐng)域仍存在一定的技術(shù)差距。特別是在2納米工藝方面，競爭對手的良品率已經(jīng)達(dá)到了較高的水平，而三星則仍在努力追趕。因此，三星對1納米工藝寄予了厚望，希望通過這一工藝的研發(fā)，實(shí)現(xiàn)技術(shù)上的反超。

值得注意的是，三星會長李在镕近期在一次高管會議上強(qiáng)調(diào)了技術(shù)創(chuàng)新的重要性，并表示公司將致力于以“前所未有的技術(shù)”引領(lǐng)未來。這一表態(tài)無疑為三星在半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)工作注入了新的動力。事實(shí)上，三星在2納米SF2工藝方面已經(jīng)取得了初步的成果，據(jù)韓媒報道，基于該工藝的Exynos 2600芯片試產(chǎn)良品率已經(jīng)達(dá)到了30%，這一表現(xiàn)超出了預(yù)期。

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的競爭日益激烈，三星電子正通過不斷加大研發(fā)投入和技術(shù)創(chuàng)新，努力在先進(jìn)制程領(lǐng)域取得更多的突破。未來，隨著1.0納米晶圓代工工藝的研發(fā)進(jìn)展，三星有望在全球半導(dǎo)體市場中占據(jù)更為重要的位置。