德國(guó)鐵電存儲(chǔ)器公司（FMC）與半導(dǎo)體巨頭Neumonda近日宣布了一項(xiàng)重大戰(zhàn)略合作，計(jì)劃在德國(guó)德累斯頓打造一條先進(jìn)的非易失性存儲(chǔ)芯片（FeRAM）生產(chǎn)線。這一舉措標(biāo)志著自2009年英飛凌與奇夢(mèng)達(dá)的德國(guó)DRAM工廠關(guān)閉后，歐洲大陸首次重啟存儲(chǔ)芯片本土化生產(chǎn)的嘗試。

此次合作的基石是FMC獨(dú)創(chuàng)的“DRAM+”技術(shù)，它突破了傳統(tǒng)FeRAM的存儲(chǔ)限制。通過采用10納米以下制程兼容的鉿氧化物（HfO?）作為鐵電層，取代了傳統(tǒng)的鋯鈦酸鉛PZT材料，使得存儲(chǔ)容量從以往的4-8MB躍升至Gb至GB級(jí)別，同時(shí)保留了斷電數(shù)據(jù)不丟失的特性。FeRAM，作為一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器技術(shù)，其鐵電性材料層替代了常規(guī)介電質(zhì)，賦予了它非揮發(fā)性內(nèi)存的功能。

FMC的首席執(zhí)行官Thomas Rueckes對(duì)這一技術(shù)革新充滿信心：“鉿氧化物的鐵電效應(yīng)成功地將DRAM電容轉(zhuǎn)變?yōu)榉且资源鎯?chǔ)單元，不僅保持了高性能，還實(shí)現(xiàn)了低功耗，這對(duì)于滿足AI運(yùn)算對(duì)持久內(nèi)存的高需求尤為關(guān)鍵。”

為了將這一創(chuàng)新技術(shù)從研發(fā)推向量產(chǎn)，F(xiàn)MC與Neumonda將共同利用Neumonda開發(fā)的Rhinoe、Octopus、Raptor三大測(cè)試系統(tǒng)，構(gòu)建一個(gè)涵蓋研發(fā)至量產(chǎn)的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

Neumonda的首席執(zhí)行官Peter Poechmueller對(duì)此次合作寄予厚望：“我們的長(zhǎng)遠(yuǎn)目標(biāo)是重振德國(guó)的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)，而此次與FMC的合作無(wú)疑是朝著這一目標(biāo)邁出的重要一步。這不僅是對(duì)技術(shù)創(chuàng)新的一次大膽嘗試，更是對(duì)歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自給自足能力的一次有力提升。”