SK 海力士近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，成功實(shí)現(xiàn)了全球首款321層1Tb TLC 4D NAND閃存的量產(chǎn)。這一成就標(biāo)志著NAND閃存技術(shù)邁入了一個全新的高度。

這款創(chuàng)新的321層NAND閃存，相較于其上一代238層產(chǎn)品，在數(shù)據(jù)傳輸速度和讀取性能上分別取得了12%和13%的顯著提升。同時，數(shù)據(jù)讀取能效也提高了超過10%，為用戶帶來了更為高效和節(jié)能的使用體驗(yàn)。

SK 海力士自2023年6月量產(chǎn)并推出238層NAND閃存以來，持續(xù)引領(lǐng)著市場技術(shù)的發(fā)展。此次321層NAND閃存的推出，不僅再次刷新了技術(shù)極限，更展示了SK 海力士在存儲技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累和創(chuàng)新能力。據(jù)SK 海力士透露，計劃從明年上半年開始，正式向全球客戶提供這款劃時代的產(chǎn)品，以滿足日益增長的市場需求。

在產(chǎn)品開發(fā)過程中，SK 海力士采用了創(chuàng)新的“3-Plug”工藝技術(shù)，成功克服了堆疊過程中的技術(shù)難題。該技術(shù)通過三次通孔工藝流程，結(jié)合優(yōu)化的后續(xù)工藝，實(shí)現(xiàn)了三個通孔之間的電氣連接。同時，開發(fā)團(tuán)隊(duì)還引入了低變形材料和通孔間自動排列矯正技術(shù)，進(jìn)一步提升了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。

SK 海力士在開發(fā)321層NAND閃存時，充分利用了上一代238層產(chǎn)品的開發(fā)平臺。這一舉措不僅最大限度地減少了工藝變化帶來的風(fēng)險，還使得生產(chǎn)效率相較于上一代產(chǎn)品提升了59%。這一顯著的生產(chǎn)效率提升，為SK 海力士在全球存儲市場上的競爭力注入了新的活力。