JEDEC固態(tài)技術協(xié)會近日在美國弗吉尼亞州正式揭曉了HBM4內存規(guī)范JESD270-4，這一最新版本標志著HBM內存技術邁入了新的性能高峰。

HBM4內存的升級亮點在于其采用了2048-bit的接口寬度，這一寬度是之前版本的兩倍。結合8Gb/s的傳輸速率，HBM4的總帶寬驚人地達到了2TB/s，為高性能計算提供了強有力的支持。

不僅如此，HBM4還支持多樣化的DRAM堆棧層數(shù)和芯片密度。用戶可以選擇4層、8層、12層或18層的DRAM堆棧，以及24Gb或32Gb的芯片密度，這使得單堆棧的容量最高可達64GB，滿足了不同應用場景的需求。

在通道數(shù)量上，HBM4也實現(xiàn)了翻倍提升。相較于HBM3的16個獨立通道，HBM4增加到了32個，這一改進進一步提升了數(shù)據(jù)傳輸?shù)男屎挽`活性。同時，在電壓方面，HBM4也進行了優(yōu)化，VDDQ電壓可選0.7V、0.75V、0.8V或0.9V，VDDC電壓可選1.0V或1.05V，這些改進共同降低了功耗，提高了能效。

在安全性方面，HBM4引入了DRFM定向刷新管理功能，這一功能顯著提升了對row-hammer攻擊的防御能力，為用戶的數(shù)據(jù)安全提供了更加可靠的保障。

英偉達技術營銷總監(jiān)Barry Wagner，同時也是JEDEC HBM小組委員會主席，對此表示：“隨著HPC平臺的快速發(fā)展，對內存帶寬和容量的需求日益迫切。HBM4的推出，正是技術行業(yè)領導者共同努力的結果，旨在推動AI和其他加速應用的高效、高性能計算實現(xiàn)質的飛躍。”