日月光半導體制造股份有限公司（ASE）近期公布了一項重大技術創新，正式推出了融入硅通孔（TSV）技術的FOCoS-Bridge高級封裝方案。這一新方案在原有FOCoS-Bridge的基礎上進行了顯著升級，旨在通過縮短信號傳輸路徑，提升I/O密度，并優化散熱性能，以應對當前市場對更高帶寬的迫切需求。
FOCoS-Bridge作為日月光VIPack平臺的關鍵組成部分，其獨特之處在于利用嵌入于扇出RDL層中的微小硅橋，實現了xPU與HBM之間的高效封裝內連接。這一設計理念與臺積電的CoWoS-L技術以及英特爾的EMIB技術有著異曲同工之妙，均致力于提升芯片間的互聯效率。
值得注意的是，新推出的FOCoS-Bridge TSV版本，在傳統橫向信號連接的基礎上，引入了TSV橋接芯片，為電力傳輸提供了更為直接的垂直路徑。這一改進使得FOCoS-Bridge TSV的電阻降低了72%，電感減少了50%，相較于標準版FOCoS-Bridge，性能有了顯著提升。
日月光研發部門的負責人李德章先生對此表示，隨著高性能計算和人工智能應用的快速發展，市場對高計算性能的需求日益增長。日月光FOCoS-Bridge技術的推出，正是為了滿足這一需求，它能夠實現SoC、Chiplets與HBM之間的無縫整合。而通過引入TSV技術，FOCoS-Bridge不僅提升了計算和能源效率，更將日月光的高級封裝技術提升到了一個全新的高度。
