在近日舉辦的2025 Intel Foundry Direct Connect大會上，英特爾詳細披露了其2.5D橋接先進封裝技術EMIB的最新進展，這些信息通過英特爾的官方演講和德國知名硬件媒體Hardwareluxx編輯Andreas Schilling拍攝的現(xiàn)場圖片得以廣泛傳播。
活動中，英特爾首次公開了EMIB技術的新變種——EMIB-T。這里的“T”代表著硅通孔（TSV）技術，顯示了英特爾在封裝技術上的進一步創(chuàng)新。同時，英特爾還介紹了采用RDL重布線層和Bridge橋片的Foveros-R與Foveros-B封裝技術，為芯片封裝提供了更多選擇。
EMIB-T技術特別針對HBM4和UCIe芯片集成進行了優(yōu)化，通過TSV和M Bridge技術在基板中構建了垂直電力通道，有效避免了傳統(tǒng)方案中的“繞路”問題。這一改進不僅降低了直流和交流電噪聲，還顯著提升了信號傳輸?shù)姆€(wěn)定性，為高性能計算領域帶來了福音。
英特爾強調，EMIB-T技術能夠支持從其他2.5D先進封裝技術的平滑遷移，且無需進行重大的重新設計，這對于希望在現(xiàn)有基礎上升級封裝技術的廠商來說無疑是個好消息。
展望未來，英特爾透露了EMIB技術的宏偉藍圖。到2026年，通過超過20個EMIB橋的連接，將能夠實現(xiàn)約120mm×120mm的總封裝尺寸，集成多達12個HBM內存堆棧。而到了2028年，封裝尺寸將進一步擴大至120mm×180mm，HBM數(shù)量也將突破24個，展現(xiàn)出英特爾在封裝技術領域的深厚積累和前瞻布局。
