中微半導體設備（上海）股份有限公司，即中微公司，近期在半導體制造技術領域取得了顯著進展。公司宣布，其ICP雙反應臺刻蝕機Primo Twin-Star?在提升反應臺間氣體控制精度方面實現了新的技術突破。
這一突破性的成就體現在刻蝕精度上，達到了前所未有的0.2A（亞埃級）水平。該精度已在氧化硅、氮化硅和多晶硅等多種薄膜材料的刻蝕工藝中得到了驗證。這一數值極為微小，僅相當于硅原子直徑2.5埃的十分之一，或是人類頭發絲平均直徑的五百萬分之一，展示了中微公司在精密制造領域的卓越實力。
在進一步的性能測試中，中微公司對200片硅片進行了重復性測試。結果顯示，在氧化硅、氮化硅和多晶硅的測試晶圓上，左右兩個反應臺各處理的100片晶圓，其平均刻蝕速度的差異分別僅為每分鐘0.9埃、1.5埃和1.0埃。值得注意的是，兩個反應臺之間的平均刻蝕速度差異（≤0.09%）遠小于單個反應臺處理多片晶圓時的刻蝕速度差異（≤0.9%），這證明了Primo Twin-Star?在刻蝕均勻性和穩定性方面的卓越表現。
中微公司還透露，其CCP雙臺機Primo D-RIE?和Primo AD-RIE?的加工精度同樣令人矚目。這兩款機器在兩個反應臺上的刻蝕重復性和生產線上的重復性已達到與Primo Twin-Star?相同的水平。在輪流加工1000片的重復性測試中，兩款機器的兩個反應臺之間的平均刻蝕速度差異僅為每分鐘9埃，小于1.0納米，再次驗證了中微公司在半導體制造領域的領先地位。
中微公司的這一系列技術突破，不僅展示了公司在半導體制造設備領域的深厚技術積累和創新實力，也為全球半導體產業的發展注入了新的活力。隨著半導體技術的不斷進步和需求的持續增長，中微公司有望在未來繼續引領行業潮流，為全球客戶提供更加優質、高效的半導體制造設備和服務。
