中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司，即中微公司，近期在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域取得了顯著進展。公司宣布，其ICP雙反應(yīng)臺刻蝕機Primo Twin-Star?在提升反應(yīng)臺間氣體控制精度方面實現(xiàn)了新的技術(shù)突破。

這一突破性的成就體現(xiàn)在刻蝕精度上，達到了前所未有的0.2A（亞埃級）水平。該精度已在氧化硅、氮化硅和多晶硅等多種薄膜材料的刻蝕工藝中得到了驗證。這一數(shù)值極為微小，僅相當(dāng)于硅原子直徑2.5埃的十分之一，或是人類頭發(fā)絲平均直徑的五百萬分之一，展示了中微公司在精密制造領(lǐng)域的卓越實力。

在進一步的性能測試中，中微公司對200片硅片進行了重復(fù)性測試。結(jié)果顯示，在氧化硅、氮化硅和多晶硅的測試晶圓上，左右兩個反應(yīng)臺各處理的100片晶圓，其平均刻蝕速度的差異分別僅為每分鐘0.9埃、1.5埃和1.0埃。值得注意的是，兩個反應(yīng)臺之間的平均刻蝕速度差異（≤0.09%）遠小于單個反應(yīng)臺處理多片晶圓時的刻蝕速度差異（≤0.9%），這證明了Primo Twin-Star?在刻蝕均勻性和穩(wěn)定性方面的卓越表現(xiàn)。

中微公司還透露，其CCP雙臺機Primo D-RIE?和Primo AD-RIE?的加工精度同樣令人矚目。這兩款機器在兩個反應(yīng)臺上的刻蝕重復(fù)性和生產(chǎn)線上的重復(fù)性已達到與Primo Twin-Star?相同的水平。在輪流加工1000片的重復(fù)性測試中，兩款機器的兩個反應(yīng)臺之間的平均刻蝕速度差異僅為每分鐘9埃，小于1.0納米，再次驗證了中微公司在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

中微公司的這一系列技術(shù)突破，不僅展示了公司在半導(dǎo)體制造設(shè)備領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累和創(chuàng)新實力，也為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進步和需求的持續(xù)增長，中微公司有望在未來繼續(xù)引領(lǐng)行業(yè)潮流，為全球客戶提供更加優(yōu)質(zhì)、高效的半導(dǎo)體制造設(shè)備和服務(wù)。