在荷蘭阿姆斯特丹，臺(tái)積電的一位高層近日于公司2025年技術(shù)論壇歐洲場(chǎng)活動(dòng)中發(fā)表了一項(xiàng)引人關(guān)注的觀點(diǎn)。資深副總經(jīng)理兼副聯(lián)席首席運(yùn)營(yíng)官?gòu)垥詮?qiáng)指出，對(duì)于當(dāng)前最尖端的制程技術(shù)，引入High NA EUV（極紫外光刻）技術(shù)并非當(dāng)務(wù)之急。

張曉強(qiáng)詳細(xì)闡述了臺(tái)積電最新的1.4nm級(jí)別邏輯制程A14。他強(qiáng)調(diào)，即便沒(méi)有采用High NA EUV圖案化設(shè)備，A14制程的性能提升依然顯著。他進(jìn)一步透露，臺(tái)積電的技術(shù)團(tuán)隊(duì)正不斷努力，通過(guò)工藝優(yōu)化來(lái)拓寬Low NA EUV技術(shù)的應(yīng)用范圍。只要這一技術(shù)路徑能夠持續(xù)取得進(jìn)展，臺(tái)積電認(rèn)為在量產(chǎn)中引入成本高昂的ASML High NA EUV設(shè)備便顯得沒(méi)有必要。

張曉強(qiáng)還提及了業(yè)界對(duì)High NA EUV技術(shù)的整體態(tài)度。他指出，在三大先進(jìn)制程廠商中，雖然有一家國(guó)際同行對(duì)High NA EUV技術(shù)表現(xiàn)出了最為積極的態(tài)度，但在實(shí)際生產(chǎn)中，這家廠商也表現(xiàn)出了謹(jǐn)慎的傾向。特別是在與臺(tái)積電A14制程相近的某個(gè)14A工藝節(jié)點(diǎn)上，該廠商也提供了是否使用High NA EUV技術(shù)的不同方案選擇。

這一表態(tài)不僅反映了臺(tái)積電在先進(jìn)制程技術(shù)路線上的自信，也揭示了整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)在追求更高精度和更低成本之間的微妙平衡。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，如何在保證性能的同時(shí)，有效控制成本，成為了所有廠商必須面對(duì)的重要課題。