在最新的科技動(dòng)態(tài)中，三星電子DS部門的首席技術(shù)官Song Jai-hyuk于美國(guó)加州舊金山舉行的IEEE ISSCC 2025國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上發(fā)表了一項(xiàng)重要聲明。據(jù)韓媒SEDaily現(xiàn)場(chǎng)報(bào)道，Song透露，三星計(jì)劃在2028年推出一款專為設(shè)備端AI應(yīng)用設(shè)計(jì)的LPW DRAM內(nèi)存產(chǎn)品。

LPW DRAM，即LPDDR Wide-IO內(nèi)存的簡(jiǎn)稱，是一種專為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)的內(nèi)存產(chǎn)品。與LPDDR內(nèi)存相比，LPWDRAM具有更寬的I/O位寬，它通過(guò)增加I/O通道數(shù)量并降低每個(gè)通道的數(shù)據(jù)傳輸速率，來(lái)實(shí)現(xiàn)高帶寬與低功耗的雙重優(yōu)勢(shì)。

在結(jié)構(gòu)層面，LPW DRAM也進(jìn)行了大膽的創(chuàng)新。三星采用了結(jié)合RDL（重布線層）的垂直引線鍵合技術(shù)，取代了傳統(tǒng)的引線鍵合方式。這一改變不僅使得封裝尺寸大大減小，還顯著提升了能效表現(xiàn)。

據(jù)三星電子介紹，LPW DRAM的帶寬將超過(guò)200GB/s，與現(xiàn)有的LPDDR5x內(nèi)存相比，帶寬提升了高達(dá)166%。同時(shí)，其功耗也顯著降低至1.9 pJ / bit，比LPDDR5x低了54%。這一突破性的進(jìn)步，無(wú)疑將為設(shè)備端AI應(yīng)用提供更加高效、可靠的內(nèi)存支持。

隨著AI技術(shù)在移動(dòng)設(shè)備中的廣泛應(yīng)用，對(duì)于高性能、低功耗內(nèi)存的需求日益增長(zhǎng)。LPW DRAM的推出，將有望滿足這一市場(chǎng)需求，進(jìn)一步推動(dòng)AI技術(shù)在移動(dòng)設(shè)備中的普及與發(fā)展。