12月26日消息，國產(chǎn)存儲(chǔ)品牌憶聯(lián)發(fā)布了面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的高性能NVMe硬盤UH711a以及UH711a E3.S，使用了自研主控及長江存儲(chǔ)128層的3D閃存，速度超過7.4GB/s，E3.S版UH711a容量則可以達(dá)到15.36TB。

該系列SSD能為數(shù)據(jù)庫、塊存儲(chǔ)、虛擬化、云主機(jī)等應(yīng)用提供高性能的存儲(chǔ)方案，幫助用戶獲得更優(yōu)的TCO。

據(jù)憶聯(lián)介紹UH711a支持高速PCIE Gen4接口，針對(duì)數(shù)據(jù)中心級(jí)業(yè)務(wù)場(chǎng)景及負(fù)載Workload IO模型，在各類場(chǎng)景可提供全面的性能優(yōu)化能力，產(chǎn)品順序讀寫性能高達(dá)7200/4500 MB/s，隨機(jī)讀寫性能高達(dá)1700/230K IOPS。

同時(shí)，針對(duì)互聯(lián)網(wǎng)典型應(yīng)用場(chǎng)景，采用軟化架構(gòu)設(shè)計(jì)，并優(yōu)化IO路徑DB、FSP、HAS和LDPC等硬件資源配置，提升后端NAND顆粒并發(fā)效率，保障互聯(lián)網(wǎng)典型應(yīng)用場(chǎng)景盤片性能。

UH711a 通過使能SR-IOV技術(shù)優(yōu)化云業(yè)務(wù)虛擬機(jī)場(chǎng)景，相比SPDK方案優(yōu)勢(shì)顯著。

SR-IOV2.0進(jìn)一步優(yōu)化了Nand物理層隔離度，VF間的性能隔離度更好，隨著隔離度的提高在純讀寫及混合場(chǎng)景下分別優(yōu)化到了3%和5%，目前憶聯(lián)SR-IOV 性能及隔離度已達(dá)業(yè)界第一。

UH711a采用全新K-mean智能聚類算法，提供更精細(xì)的數(shù)據(jù)類型識(shí)別顆粒度，進(jìn)一步提高GC時(shí)的效率，使SSD系統(tǒng)性能最大可提升20%。

通過在盤片內(nèi)部將2種數(shù)據(jù)寫入不同的流，降低盤片的寫放大系數(shù)，提升全生命周期的穩(wěn)態(tài)性能以及保障產(chǎn)品生命周期后期階段的可靠性。

此外，UH711a還支持DIF、NS管理等OCP2.0規(guī)范，不僅與系統(tǒng)配合實(shí)現(xiàn)端到端的保護(hù)，也能在盤內(nèi)實(shí)現(xiàn)獨(dú)立的端到端的保護(hù)機(jī)制，確保盤內(nèi)整個(gè)通路的數(shù)據(jù)安全，從而為數(shù)據(jù)中心在多種極端場(chǎng)景下的正常運(yùn)維提供雙重保護(hù)。

依托憶聯(lián)強(qiáng)大的自主封測(cè)技術(shù)，UH711a通過使能自封TLC介質(zhì)，在不犧牲性能及可靠性的前提下大幅度降低介質(zhì)應(yīng)用成本，充分挖掘介質(zhì)的原生潛力，提供更好的IO性能。

E3.S作為面向云服務(wù)、企業(yè)數(shù)據(jù)中心的NVMe SSD新形態(tài)標(biāo)準(zhǔn)，憑借擴(kuò)展性更強(qiáng)，以及優(yōu)化了整體效能等優(yōu)勢(shì)，已成為數(shù)據(jù)中心SSD未來發(fā)展方向。

憶聯(lián)推出的UH711a E3.S 形態(tài)，外形尺寸方面，長112.75mm、寬76mm、厚度為7.5mm，單盤容量最高達(dá)15.36TB，支持NVMe 1.4。

使用新形態(tài)后，產(chǎn)品順序讀寫性能高達(dá)7200/4400 MB/s，隨機(jī)讀寫性能高達(dá)1700/240K IOPS。

該系列產(chǎn)品將于2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。