紫光閃芯近日震撼發(fā)布了一款全棧國(guó)產(chǎn)化的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)新品——紫光閃存E5200，該硬盤(pán)基于PCIe 5.0標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)，標(biāo)志著我國(guó)在高端存儲(chǔ)領(lǐng)域的又一重大突破。

紫光閃存E5200從內(nèi)到外均實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化，搭載了自主研發(fā)的國(guó)產(chǎn)主控芯片與長(zhǎng)江存儲(chǔ)提供的3D TLC閃存顆粒。從設(shè)計(jì)初稿到最終產(chǎn)品的生產(chǎn)與測(cè)試，每一步都嚴(yán)格遵循國(guó)產(chǎn)化體系標(biāo)準(zhǔn)，確保了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。

這款eSSD采用了先進(jìn)的PCIe 5.0×4總線接口，并配置了雙端口模式，為用戶提供了4TB、8TB和16TB三種容量選擇。為了滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求，紫光閃存E5200還推出了1DWPD讀取密集型和3DWPD混合讀寫(xiě)型兩種版本，靈活應(yīng)對(duì)各種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)挑戰(zhàn)。

在性能表現(xiàn)上，紫光閃存E5200同樣不負(fù)眾望。其順序讀寫(xiě)速度分別高達(dá)14.5GB/s和11.5GB/s，而隨機(jī)讀寫(xiě)速度也分別達(dá)到了3300K IOPS和900K IOPS的驚人水平。在QD128讀寫(xiě)混合負(fù)載的極端測(cè)試條件下，該硬盤(pán)仍能保持99.99%的操作延遲低于1000微秒，展現(xiàn)出卓越的穩(wěn)定性和響應(yīng)速度。

紫光閃存E5200還配備了硬件級(jí)的PLP掉電保護(hù)機(jī)制，結(jié)合雙端口冗余設(shè)計(jì)以及優(yōu)化的主控、硬件和固件方案，將平均無(wú)故障時(shí)間（MTBF）提升至了驚人的250萬(wàn)小時(shí)以上。在數(shù)據(jù)安全方面，該硬盤(pán)支持國(guó)密算法SM2/SM3/SM4以及國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的AES-256加密技術(shù)，確保了數(shù)據(jù)在傳輸和存儲(chǔ)過(guò)程中的安全性，同時(shí)兼容國(guó)內(nèi)外主流處理器和操作系統(tǒng)，為用戶提供了廣泛的選擇空間。