在人工智能技術(shù)的快速發(fā)展背景下，半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)正逐漸從幕后走到臺(tái)前，成為AI芯片制造領(lǐng)域的焦點(diǎn)。這項(xiàng)技術(shù)通過(guò)集成不同功能、制程、尺寸和廠商的芯粒，以靈活、高效且經(jīng)濟(jì)的方式打造系統(tǒng)級(jí)芯片，贏得了眾多AI芯片廠商的青睞。

作為全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，英特爾自上世紀(jì)70年代起便致力于封裝技術(shù)的創(chuàng)新，積累了深厚的經(jīng)驗(yàn)。面對(duì)AI時(shí)代的挑戰(zhàn)，英特爾正攜手生態(tài)系統(tǒng)伙伴和基板供應(yīng)商，共同制定標(biāo)準(zhǔn)，推動(dòng)先進(jìn)封裝技術(shù)在整個(gè)行業(yè)的應(yīng)用。秉承“系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化”的理念，英特爾代工服務(wù)不僅提供傳統(tǒng)的封裝、互連和基板技術(shù)，還涵蓋了系統(tǒng)級(jí)架構(gòu)與設(shè)計(jì)服務(wù)，以及熱管理和功耗管理等全方位支持。

英特爾代工的先進(jìn)系統(tǒng)封裝及測(cè)試技術(shù)組合豐富多樣，包括FCBGA 2D、FCBGA 2D+、EMIB 2.5D、EMIB 3.5D、Foveros 2.5D & 3D以及Foveros Direct 3D等技術(shù)。這些技術(shù)各具特色，能夠滿足不同場(chǎng)景下的需求。

FCBGA 2D技術(shù)適用于成本敏感、I/O數(shù)量較少的產(chǎn)品；FCBGA 2D+則通過(guò)增加基板層疊技術(shù)，減少了高密度互連的面積，降低了成本，特別適用于網(wǎng)絡(luò)和交換設(shè)備等產(chǎn)品。EMIB 2.5D技術(shù)通過(guò)微型硅橋連接芯片，適用于高密度的芯片間連接，在AI和高性能計(jì)算領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越性能。而EMIB 3.5D則引入了3D堆疊技術(shù)，增加了堆疊的靈活性，能夠根據(jù)IP特性選擇垂直或水平堆疊，避免了大型中介層的使用。

Foveros 2.5D和3D技術(shù)則采用焊料連接方式，適合高速I/O與較小芯片組分離的設(shè)計(jì)；Foveros Direct 3D技術(shù)則通過(guò)銅和銅直接鍵合，實(shí)現(xiàn)了更高的互連帶寬和更低的功耗，提供了卓越的性能。這些技術(shù)并非相互排斥，而是可以在一個(gè)封裝中同時(shí)使用，為復(fù)雜芯片的設(shè)計(jì)提供了極大的靈活性。

針對(duì)AI芯片的封裝需求，EMIB 2.5D技術(shù)相較于其他晶圓級(jí)2.5D技術(shù)具有顯著優(yōu)勢(shì)。首先，在成本效益方面，EMIB技術(shù)采用的硅橋尺寸小，制造時(shí)能更高效地利用晶圓面積，減少了空間和資源的浪費(fèi)，降低了綜合成本。其次，在良率提升方面，EMIB技術(shù)省略了晶圓級(jí)封裝步驟，減少了復(fù)雜工藝帶來(lái)的良率損失風(fēng)險(xiǎn)，提高了整體生產(chǎn)過(guò)程的良率。

在生產(chǎn)效率方面，EMIB技術(shù)的制造步驟更少、復(fù)雜度更低，生產(chǎn)周期更短，能夠?yàn)榭蛻艄?jié)省時(shí)間。在市場(chǎng)動(dòng)態(tài)快速變化的情況下，這種時(shí)間優(yōu)勢(shì)有助于客戶更快地獲得產(chǎn)品驗(yàn)證數(shù)據(jù)，加速產(chǎn)品上市。在尺寸優(yōu)化方面，EMIB技術(shù)將硅橋嵌入基板，提高了基板面積的利用率，能夠在單個(gè)封裝中集成更多芯片，容納更多工作負(fù)載。最后，在供應(yīng)鏈與產(chǎn)能方面，英特爾擁有成熟的供應(yīng)鏈和充足的產(chǎn)能，確保了EMIB技術(shù)能夠滿足客戶對(duì)先進(jìn)封裝解決方案的需求。

英特爾在先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，不僅推動(dòng)了AI芯片制造的發(fā)展，也為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入了新的活力。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用場(chǎng)景的拓展，英特爾將繼續(xù)引領(lǐng)和推動(dòng)先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展，為行業(yè)帶來(lái)更多的創(chuàng)新和突破。