三星電子正積極籌備其DRAM技術(shù)的下一代革新，據(jù)最新消息顯示，該公司已在第六代DRAM尚未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)之際，率先啟動(dòng)了第七條生產(chǎn)線——1d DRAM的測(cè)試線建設(shè)。這一被稱為“單路徑線”的測(cè)試設(shè)施預(yù)計(jì)將于2025年第一季度全面竣工，旨在提升產(chǎn)品良率，并進(jìn)一步拉大與業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)者的技術(shù)距離。

位于平澤的P2工廠內(nèi)，這條測(cè)試線將承擔(dān)起評(píng)估新半導(dǎo)體產(chǎn)品量產(chǎn)可行性的重任。一旦研發(fā)階段的下一代芯片定型，該測(cè)試線將引入晶圓，著手提升量產(chǎn)良率，為正式投產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

盡管平澤10納米級(jí)第七代DRAM廠房的具體規(guī)模尚未公開，但一般而言，此類測(cè)試線每月可處理大約一萬片晶圓，其產(chǎn)能不容小覷。三星方面已明確表示，計(jì)劃在2026年前實(shí)現(xiàn)第七代DRAM的量產(chǎn)，而第六代DRAM（1c）則預(yù)計(jì)將于2025年投產(chǎn)。這意味著，第七代DRAM的測(cè)試線建設(shè)與第六代的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作正同步推進(jìn)，展現(xiàn)了三星在DRAM技術(shù)領(lǐng)域的前瞻布局。

業(yè)內(nèi)專家指出，三星此舉意在通過提前布局第七代DRAM生產(chǎn)線，為明年重振市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。近年來，三星在HBM市場(chǎng)上的領(lǐng)先地位被SK海力士所取代，同時(shí)，在10納米級(jí)第六代內(nèi)存的開發(fā)速度上也落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。為了重新奪回行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位，三星不得不加快產(chǎn)品開發(fā)的步伐，通過技術(shù)創(chuàng)新和提前布局來搶占市場(chǎng)先機(jī)。